前言
技術上高功率后的商品，使用時散熱對策成為非常棘手問題，在此背景下具備高成本效益，類似金屬系等高散熱封裝基板的發展動向，成為高效率化之后另一個備受囑目的焦點。
本文要介紹LED封裝用金屬系基板的發展動向，與陶瓷系封裝基板的散熱設計技術。
發展歷程
圖1是有關LED的應用領域發展變遷預測，如圖2所示使用時，LED產生的熱量透過封裝基板與冷卻風扇排放至空氣中。
以往LED的輸出功率較小，可以使用傳統FR4等玻璃環氧樹脂封裝基板，然而用高功率LED的發光效率只有20~30% ，而且芯片面積非常小，雖然整體消費電力非常低，不過單位面積的發熱量卻很大。
如上所述汽車、照明與一般民生業者已經開始積極檢討LED的適用性(圖3)，一般民生業者對高功率LED期待的特性分別是省電、高輝度、長使用壽命、高色再現性，這意味著高散熱性是高功率LED封裝基板不可欠缺的條件。
一般樹脂基板的散熱極限只支持0.5W以下的LED，超過0.5W以上的LED封裝大多改用金屬系與陶瓷系高散熱基板，主要原因是基板的散熱性對LED的壽命與性能有直接影響，因此封裝基板成為設計高輝度LED商品應用時非常重要的組件。
金屬系高散熱基板又分成硬質(rigid)與可撓曲(flexible)系基板兩種(圖4) ，硬質系基板屬于傳統金屬基板，金屬基材的厚度通常大于1mm，硬質系基板廣泛應用在模塊與照明模塊，技術上它是與鋁質基板同等級高熱傳導化的延伸，未來可望應用在高功率LED的封裝。
可撓曲系基板的出現是為了滿足汽車導航儀等中型LCD背光模塊薄形化，以及高功率LED三次元封裝要求的前提下，透過鋁質基板薄板化賦予封裝基板可撓曲特性，進而形成同時兼具高熱傳導性與可撓曲特性的高功率LED封裝基板。
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硬質系基板的特性
圖5是硬質金屬系封裝基板的基本結構，它是利用傳統樹脂基板或是陶瓷基板，賦予高熱傳導性、加工性、電磁波遮蔽性、耐熱沖擊性等金屬特性，構成新世代高功率LED封裝基板。
如圖所示它是利用環氧樹脂系接著劑將銅箔黏貼在金屬基材的表面，透過金屬基材與絕緣層材質的組合變化，可以制成各種用途的LED封裝基板。
高散熱性是高功率LED封裝用基板不可或缺的基本特性，因此上述金屬系LED封裝基板使用為鋁與銅等材料，絕緣層大多使用充填高熱傳導性無機填充物(Filler)的填充物環氧樹脂。
鋁質基板是應用鋁的高熱傳導性與輕量化特性制成高密度封裝基板，目前已經應用在冷氣空調的轉換器(Inverter)、通訊設備的電源基板等領域，鋁質基板同樣適用于高功率LED的封裝。
圖6是各種金屬系封裝基板的特性比較，一般而言金屬封裝基板的等價熱傳導率標準大約是2W/m?K，為滿足客戶4~6W/m?K高功率化的需要，業者已經推出等價熱傳導率超過8W/m?K的金屬系封裝基板。
由于硬質金屬系封裝基板主要目的是支持高功率LED的封裝，因此各封裝基板廠商正積極開發可以提高熱傳導率的技術。
硬質金屬系封裝基板的主要特征是高散熱性。圖7與圖8是仿真分析發熱量為1W時，2W/m ?K一般封裝基板與工作服加工www.boxingfushi.com8W/m?K超高熱傳導封裝基板正常使用狀態下的溫度分布特性。
由圖8可知使用高熱傳導性絕緣層封裝基板，可以大幅降低LED芯片的溫度。此外基板的散熱設計，透過散熱膜片與封裝基板的組合，還可望延長LED芯片的使用壽命。
金屬系封裝基板的缺點是基材的金屬熱膨脹系數非常大，類似低熱膨脹系數陶瓷系芯片組件焊接時，容易受到熱循環沖擊，如果高功率LED的封裝使用氮化鋁時，金屬系封裝基板可能會發生不協調問題，因此必需設法吸收的各材料熱膨脹系數差異造成的熱應力，藉此緩和熱應力提高封裝基板的可靠性。
可撓曲系基板的特性
可撓曲基板的主要用途大多集中在布線用基板，以往高功率晶體管與IC等高發熱組件幾乎不使用可撓曲基板，最近幾年液晶顯示器為滿足高輝度化需求，強烈要求可撓曲基板可以高密度設置高功率LED，然而LED的發熱造成LED使用壽命降低，卻成為非常棘手的技術課題，雖然利用鋁板質補強板可以提高散熱性，不過卻有成本與組裝性的限制，無法根本解決問題。
圖9是高熱傳導撓曲基板的斷面結構，它是在絕緣層黏貼金屬箔，雖然基本結構則與傳統撓曲基板完全相同，不過絕緣層采用軟質環氧樹脂充填高熱傳導性無機填充物的材料，具有與硬質金屬系封裝基板同等級8W/m?K的熱傳導性，同時還兼具柔軟可撓曲、高熱傳導特性與高可靠性(表1)，此外可撓曲基板還可以依照客戶需求，將單面單層面板設計成單面雙層、雙面雙層結構。
高熱傳導撓曲基板的主要特征是可以設置高發熱組件，并作三次元組裝，亦即它可以發揮自由彎曲特性，進而獲得高組裝空間利用率。
圖10是高熱傳導撓曲基板與傳統聚亞酰胺(Polyi-mide)撓曲基板，設置1W高功率LED時的散熱實驗結果，聚亞酰胺基板的厚度為25μm，基板的散熱采用自然對流方式。
根據實驗結果顯示使用高熱傳導撓曲基板時，LED的溫度大約降低100℃，這意味著溫度造成LED使用壽命降低的問題可望獲得改善。
事實上除了高功率LED之外，高熱傳導撓曲基板還可以設置其它高功率半導體組件，適用于局促空間或是高密度封裝等要求高散熱等領域。
有關類似照明用LED模塊的散熱特性，單靠封裝基板往往無法滿足實際需求，因此基板周邊材料的配合變得非常重要，例如圖11的端緣發光型LED背光模塊的新結構，配合~3W/m?K的熱傳導性膜片，可以有效提高LED模塊的散熱性與LED模塊的組裝作業性。
陶瓷系封裝基板
如上所述的發熱隨著投入電力強度的增加持續上升，LED芯片的溫升會造成光輸出降低，因此LED的封裝結構與使用材料的檢討非常重要。
以往LED使用低熱傳導率樹脂封裝，被視為是影響散熱特性的原因之一，因此最近幾年逐漸改用高熱傳導陶瓷，或是設有金屬板的樹脂封裝結構。LED芯片高功率化常用手法分別是：
●LED芯片大型化
●改善LED芯片的發寧波生活商家光效率
●采用高取光效率的封裝
●大電流化
雖然提高電流發光量會呈比例增加，不過LED芯片的發熱量也會隨著上升。圖12是LED投入電流與放射照度量測結果，由圖可知在高輸入領域放射照度呈現飽和與衰減現象，這種現象主要是LED芯片發熱所造成，因此LED芯片高功率化時首先必需解決散熱問題。
LED的封裝除了保護內部LED芯片之外，還兼具LED芯片與外部作電氣連接、散熱等功能。
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LED的封裝要求LED芯片產生的光線可以高效率取至外部，因此封裝必需具備高強度、高絕緣性、高熱傳導性與高反射性，令人感到意外的是陶瓷幾乎網羅上述所有特性。
表2是陶瓷的主要材料物性一覽，除此之外陶瓷耐熱性與耐光線劣化性也比樹脂優秀。
傳統高散熱封裝是將LED芯片設置在金屬基板上周圍再包覆樹脂，然而這種封裝方式的金屬熱膨脹系數與LED芯片差異非常大，當溫度變化非常大或是封裝作業不當時極易產生熱歪斜(thermal strain;熱剪應力)，進而引發芯片瑕疵或是發光效率降低。
未來LED芯片面臨大型化發展時，熱歪斜問題勢必變成無法忽視的困擾，有關這點具備接近LED芯片的熱膨脹系數的陶瓷，可說是熱歪斜對策非常有利的材料。
圖13是高功率LED陶瓷封裝的外觀;圖14是高功率LED陶瓷封裝的基本結構，圖14(b)的反射罩電鍍銀膜。它可以提高光照射率，圖14(c)的陶瓷反射罩則與陶瓷基板呈一體結構。
散熱設計
圖15表示LED內部理想性熱流擴散模式，圖15右圖的實線表示封裝內部P~Q之間高熱流擴散分布非常平坦，由于熱流擴散至封裝整體均勻流至封裝基板，其結果使得LED芯片正下方的溫度大幅降低。
圖16是以封裝材的熱傳導率表示熱擴散性的差異，亦即圖15表示正常狀態時的溫度分布，與單位面積單位時間流動的熱流束分布特性。
使用高熱傳導材時，封裝內部的溫差會變小，此時熱流不會呈局部性集中，LED芯片整體產生的熱流呈放射狀流至封裝內部各角落，換言之高熱傳導材料可以提高LED封裝內部的熱擴散性。
LED封裝用陶瓷材料分成氧化鋁與氮化鋁，氧化鋁的熱傳導率是環氧樹脂的55倍，氮化鋁則是環氧樹脂的55倍400倍，因此目前高功率LED封裝用基板大多使用熱傳導率為200W/mK的鋁質，或是熱傳導率為400W/mK的銅質金屬封裝基板。
半導體IC芯片的接合劑分別使用環氧系接合劑、玻璃、焊錫、金共晶合金等材料。LED芯片用接合劑除了上述高熱傳導性之外，基于接合時降低熱應力等觀點，還要求低溫接合與低楊氏系數等等，符合這些條件的接合劑分別是環氧系接合劑充填銀的環氧樹脂，與金共晶合金系的Au-20%Sn。
接合劑的包覆面積與LED芯片的面積幾乎相同，因此無法期待水平方向的熱擴散，只能寄望于垂直方向的高熱傳導性。
圖17是熱傳導差異對封裝內部的溫度分布，與熱流束特性的模擬分析結果，封裝基板使用氮化鋁。根據仿真分析結果顯示LED接合部的溫差，熱傳導性非常優秀的Au-Sn比低散熱性銀充填環氧樹脂接合劑更優秀。
有關LED封裝基板的散熱設計，大致分成：
●LED芯片至框體的熱傳導
●框體至外部的熱傳達
兩大部位。熱傳導的改善幾乎完全仰賴材料的進化，一般認為隨著LED芯片大型化、大電流化、高功率化的發展，未來會加速金屬與陶瓷封裝取代傳統樹脂封裝方式 。此外LED芯片接合部是妨害散熱的原因之一，因此薄接合技術成為今后改善的課題。
提高LED高熱排放至外部的熱傳達特性，以往大多使用冷卻風扇與熱交換器，由于噪音與設置空間等諸多限制，實際上包含消費者、下游系統應用廠商在內，都不希望使用強制性散熱組件，這意味著非強制散熱設計必需大幅增加框體與外部接觸的面積，同時提高封裝基板與框體的散熱性。
具體對策例如高熱傳導銅層表面涂布“利用遠紅外線促進熱放射的撓曲散熱薄膜”等等，根據實驗結果證實使用該撓曲散熱薄膜的發熱體散熱效果，幾乎與面積接近散熱薄膜的冷卻風扇相同，如果將撓曲散熱薄膜黏貼在封裝基板、框體，或是將涂抹層直接涂布在封裝基板、框體，理論上還可以提高散熱性。
有關高功率LED的封裝結構，要求能夠支持LED芯片磊晶接合的微細布線技術;有關材質的發展，雖然氮化鋁已經高熱傳導化，不過高熱傳導與反射率的互動關系卻成為另一個棘手問題，一般認為未來若能提高熱傳導率低于氮化鋁的氧化鋁的反射率，對高功率LED的封裝材料具有正面幫助。
結語
隨著LED大型化、大電流化、高功率化的發展，事實上單靠封裝基板單體并無法達成預期的散熱效，必需配合封裝基板周邊的散熱材料，以及LED封裝結構才能進行有效的散熱。
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