国产日韩欧美综合色视频在线|日本在线中文字幕四区|最新中文字幕在线|成人女人天堂午夜视频

當(dāng)前位置技術(shù)知識 >> 深紫外LED基礎(chǔ)上AlGaN的最新發(fā)展

深紫外LED基礎(chǔ)上AlGaN的最新發(fā)展

深紫外LED基礎(chǔ)上AlGaN的最新發(fā)展 2010年10月16日在深圳第七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇“材料與裝備技術(shù)分會”上,來自日本理化學(xué)研究所博士Hideki Hirayama向參會嘉賓介紹了深紫外LED基礎(chǔ)上AlGaN的最新發(fā)展。   Hideki Hirayama展示了發(fā)光波長在222-351nm之間的AlGaN基多量子阱(MQW)深紫外(UV) LED,這些LED制作于藍(lán)寶石基的低位錯密度(TDD) AlN模板上。生長于低位錯密度AlN模板上的AlGaN或AlInGaN多量子阱實現(xiàn)了高達(dá)50-80%的內(nèi)量子效率(IQE)。同時,通過使用多量子壘(MQB)顯著改善了電子注入效率(EIE)。對于256-275nm LEDs獲得了超過20mW的連續(xù)波輸出功率。對于247nm和270nm AlGaN-LEDs最大外量子效率分別達(dá)到了1.8%和2.75%。
寧波團(tuán)購